碳納米管CVD制備系統(tǒng)

該設備用于制備納米碳材料，如碳納米管粉、碳納米管薄膜和定向碳納米管制備；采用封閉式管式爐，石英反應管直徑50mm/70mm~110mm*1000mm，基底尺寸60mm*60mm到120mm*120mm；氣源包括氫氣、氮氣、甲烷、酒精等；

MPCVD是一種碳納米管化學汽相沉積綜合系統(tǒng)，具備一個水平石英管式爐,該系統(tǒng)可以穩(wěn)定生產垂直對齊的CNT和各種粉末CNT。成熟的工藝保證了制備質量和數(shù)量，也可用于三維形狀的CNT制備。乙醇注入裝置配備一個滴定法流量控制系統(tǒng)，氣體輸入端口配備三通道質量流量氣體控制器(惰性氣體,碳氫化合物氣體,氫氣)。

真空排氣系統(tǒng)使得該系統(tǒng)能夠在一個廣泛的氣壓下運行，從大氣到低壓(10 Pa),也可用作為熱處理系統(tǒng)，例如：真空爐、大氣爐、氮化爐。

碳納米管CVD制備系統(tǒng)

相關產品：
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5. 催化劑薄膜制備系統(tǒng)：可沉積催化劑薄膜在各種材料上，用于高性能碳納米管的指標；

技術特點：
       *成熟的碳納米材料制備工藝
       *乙醇和碳氫化合物作為碳源
       *用于SWCNT 合成
       *具備催化劑前體供應功能
       *可以合成較長長度 ( ~500 um)垂直對齊的CNT和粉末狀的CNT
       *具備三通道氣體質量控制器
       *體積小，基座穩(wěn)定
       *高溫度：1200度；

技術參數(shù)：
基底尺寸60mm*60mm到120mm*120mm；
粉末碳納米管、nanofiber, nanocoil, and film-type CNTs 等；