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kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上，實(shí)現(xiàn)了晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測(cè)。

薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀，采用無(wú)損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測(cè)薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過(guò)程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。

反射高能電子衍射儀 RHEED可以由計(jì)算機(jī)來(lái)控制.電子槍控制部分包括一個(gè)界面模塊和一個(gè)軟件包，這保證了RHEED的使用靈活性，和可重復(fù)性.用戶(hù)自己設(shè)定的參數(shù)可以被保存并調(diào)入，通過(guò)電子束光闌可以控制電子束的開(kāi)關(guān)，使用電子束搖擺特征可以調(diào)節(jié)電子束入射角度.

鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)（kSA MOS）原位實(shí)時(shí)應(yīng)力測(cè)量分析，可研究鋰離子電池反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程中或在正常使用過(guò)程中內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，對(duì)其電化學(xué)性能的影響；即就是在充放電過(guò)程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系；進(jìn)而分析充放電過(guò)程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。